| 基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T_R多功能芯片设计 |
| 刘超;唐海林;刘海涛;李强;熊永忠; |
| 关键词：多功能芯片;T/R组件;相控阵;SiGe BiCMOS;X波段;Ka波段 |
| 主要内容：提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的 |
| 《微波学报》 2016,32(06):35-39 |
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