| 集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究 |
| 宜楠;权振兴;赵鸿磊;武宇; |
| 关键词：钽;溅射靶材;晶粒尺寸;织构;电子束熔炼;锻造;轧制;热处理 |
| 主要内容：金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能。采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上。靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100μm,在靶材整个厚度范围 |
| 《材料开发与应用》 2016,31(03):71-75 |
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