| 抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计 |
| 苏梦瑶;陈旭斌;邱仅朋;王志宇;刘家瑞;陈华;尚永衡;刘东栋;郁发新; |
| 关键词：单粒子翻转;双边上电复位;位线分离;三模冗余;双互锁存储单元 |
| 主要内容：为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DI |
| 《浙江大学学报(工学版)》 2016,50(04):792-798 |
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