| 考虑氧化作用的CMP接触去除模型分析 |
| 蔡攀攀;林有希;任志英;林春生; |
| 关键词：化学机械抛光;氧化作用;弹塑性;接触去除;工作载荷 |
| 主要内容：针对目前大多数化学机械抛光(CMP)材料去除模型没有考虑到氧化薄膜作用的现象,提出一种考虑氧化后的芯片与磨粒之间的接触模型,该模型的建立基于接触力学理论和接触微凸体由弹性变形向弹塑性变形及最终向完全塑性变形的转化过程,并将该模型与传统的塑性 |
| 《工具技术》 2016,50(02):11-16 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号