| 纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性分析 |
| 赵智超;吴铁峰; |
| 关键词：纳米CMOS电路;单粒子效应;可靠性 |
| 主要内容：随着电子元器件的尺寸在不断的发生变化,使得电容和电压不断的降低,纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)的敏感性更高,并且由于单粒子的串扰和多结点翻转现象明显增加,使得工作的可靠性受到一定的影响。为了更好的保证纳米CMOS电路在SEE下的可靠 |
| 《电脑知识与技术》 2016,12(21):261-262 |
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