| 纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性研究进展 |
| 刘保军;蔡理;刘小强;刘鹤鸣;胡凡俊; |
| 关键词：单粒子效应(SEE);可靠性;纳电子器件;抗辐射加固;损伤机理 |
| 主要内容：随着特征尺寸的不断缩减,器件结电容减少、工作电压降低,使纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)更加敏感,同时伴随着明显的单粒子串扰、多结点翻转等现象,严重影响其工作可靠性。基于纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从基本电离损伤机理、SEE对 |
| 《微纳电子技术》 2016,53(01):1-6 |
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