| 纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应 |
| 刘忠立; |
| 关键词：纳米级互补金属氧化物半导体集成电路;器件沟长;辐射效应 |
| 主要内容：介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅 |
| 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016,14(06):953-960 |
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