| 纳瓦级低功耗CMOS基准源研究与实现 |
| 张家军;赵雅静; |
| 关键词：低功耗;带隙基准;亚阈值 |
| 主要内容：工作在亚阈值区的2个MOS管栅压差值与温度成正比,基于这一理论,本文设计了一种纳瓦级功耗的带隙基准源电路.整体电路包括启动电路,一个纳安级电流源电路,一只双极晶体管和一个与绝对温度成正比(PTAT)的电压发生器.与传统CMOS带隙基准源相比 |
| 《北方工业大学学报》 2016,28(03):30-33+53 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号