| 适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究 |
| 尹海洲;刘洪刚;朱慧珑;王文武;刘云飞; |
| 关键词：高迁移率沟道;高K栅介质;半导体表面态;等效氧化层厚度;金属栅功函数 |
| 主要内容：该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以及高k栅介质的可靠性等相关问题,并实现器件质量的高k介质材料与高迁移率沟 |
| 《科技创新导报》 2016,13(08):174 |
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