| 碳化硅基片上螺旋电感建模 |
| 曹泽华;徐锐敏; |
| 关键词：GaN工艺;螺旋电感;等效电路模型;可缩放模型 |
| 主要内容：在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是较为理想的选择。本文将针对SiC衬底进行片上螺旋电感建模,基于Enhance 1-p等效电路模型,可缩放模型 |
| 《微波学报》 2016,32(S1):306-309 |
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