| 体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术 |
| 米丹;左玲玲; |
| 关键词：体硅CMOS集成电路;总剂量效应;单粒子效应;电路结构加固;版图设计加固 |
| 主要内容：首先介绍了空间辐射环境,并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析。然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索。测试结果表明,采用版图加固抗辐射技术可以使体硅CMOS集成电路的抗辐射性能得到明显提升。 |
| 《电子与封装》 2016,16(09):40-43 |
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