| 铜_钽_绝缘介质用碱性化学机械抛光液的优化 |
| 张文倩;刘玉岭;王辰伟;高娇娇;栾晓东; |
| 关键词：铜;钽;二氧化硅绝缘介质;化学机械抛光;选择性;去除速率 |
| 主要内容：在工作压力2 psi,抛光头转速55 r/min,抛光盘转速60 r/min,流量150 m L/L,温度22.7°C的条件下,采用一种不含H_2O_2的碱性抛光液对Cu、Ta、SiO_2绝缘介质3种材料进行化学机械抛光(CMP)。通过研究 |
| 《电镀与涂饰》 2016,35(09):470-474 |
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