| 新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述 |
| 冯洪亮;黄继华;陈树海;赵兴科; |
| 关键词：功率芯片;耐高温封装;连接;瞬时液相烧结 |
| 主要内容：新一代半导体高温功率芯片可在500℃左右甚至更高的温度下服役,耐高温封装已成为其高温应用的主要障碍.针对当前高温功率芯片耐高温封装连接问题,从芯片耐高温封装连接的结构及要求、芯片的耐高温封装连接方法(包括高温无铅钎料封装连接、银低温烧结连接 |
| 《焊接学报》 2016,37(01):120-128+134 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号