| 一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计 |
| 孙云华;邹家轩; |
| 关键词：ESD;高速端口;GGNMOS;NTNMOS |
| 主要内容：随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤。采用传统的ESD结构会显著增加节 |
| 《电子与封装》 2016,16(09):14-17 |
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