| 一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现 |
| 王子青;廖斌; |
| 关键词：GaN场效应晶体管(FET)开关;高压驱动器;施密特电路;电平转换;死区时间 |
| 主要内容：设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时 |
| 《半导体技术》 2016,41(09):674-678 |
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