| 一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源 |
| 张涛;陈远龙;王影;张国俊; |
| 关键词：带隙基准;高电源抑制比;低噪声;电源抑制比增强级;低通滤波器 |
| 主要内容：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃,带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放 |
| 《电子技术》 2016,45(03):80-83 |
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