| 一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计 |
| 陈迪平;刘杏;何龙;陈思园; |
| 关键词：ESD;衬底触发;栅耦合;TLP |
| 主要内容：设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了M |
| 《湖南大学学报(自然科学版)》 2016,43(02):115-118 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号