一种瞬态增强无片外电容LDO电路
 
周杭军;陈志铭;王兴华;

关键词:无片外电容;低功耗;快速瞬态响应;线性稳压器
 
主要内容:基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2~4.5V时,L
 
《微电子学》  2016,46(05):655-658
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