| 一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究 |
| 马奎;杨发顺; |
| 关键词：半绝缘;纵向器件;多次外延;多次选择性掺杂;介质隔离槽 |
| 主要内容：在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充二氧化硅和非掺杂多 |
| 《半导体技术》 2016,41(10):740-745 |
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