| 一种新型硅通孔金属填充工艺研究 |
| 程晓华;高杏; |
| 关键词：硅通孔;金属钨(W);化学气相沉积;刻蚀 |
| 主要内容：穿透硅通孔(Through Si via interconnect)是3D IC集成中的一种重要工艺。钨化学气相淀积在半导体工业中被广泛应用,其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力。但采用其作为填充金属时,会产生巨大的拉应力(tensil |
| 《集成电路应用》 2016,33(11):31-35 |
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