| 圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析 |
| 秦嵩;焦继伟;王敏昌;钱清; |
| 关键词：铝锗共晶键合;残余应力;力敏电阻 |
| 主要内容：以圆片级铝锗键合后的残余应力为研究对象,在键合环下方和周围制作了一系列形状相同的力敏电阻条,通过比较键合前后力敏电阻条的阻值变化,分析电阻条处残余应力的大小及与工艺相关性。结果表明:键合环内外的压阻变化约为键合环下方压阻变化的3倍。这种方法 |
| 《传感器与微系统》 2016,35(10):40-42 |
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