| 增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计 |
| 俞淼;罗小华;卢宇峰;李益航; |
| 关键词：工艺偏差;失配;带隙基准电压;阈值偏差;失调;成品率 |
| 主要内容：随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工 |
| 《浙江大学学报(理学版)》 2016,43(06):689-695 |
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