| 0.13μm嵌入式闪存金属互连短路失效分析与改进 |
| 赵江;张雷;顾培楼;黄其煜; |
| 关键词：嵌入式闪存;金属互连;失效分析;铝铜合金;θ相 |
| 主要内容：研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相(Al2Cu)在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致 |
| 《半导体技术》 2017,42(02):139-144 |
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