| 0.18 μm CMOS器件SEL仿真和设计 |
| 李燕妃;吴建伟;谢儒彬;洪根深; |
| 关键词：单粒子闩锁;TCAD;加固;重离子试验;外延工艺 |
| 主要内容：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电 |
| 《电子与封装》 2017,17(02):43-47 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号