| 14 nm工艺下基于CUPF的数字IC低功耗物理设计 |
| 高华;李辉; |
| 关键词：数字IC;低功耗;物理设计;CUPF;14 nm |
| 主要内容：随着集成电路生产工艺的迅速发展,功耗作为芯片质量的重要衡量标准引起了国内外学者越来越多的重视和研究。当晶体管的特征尺寸减小到纳米级时,其泄露电流的增加、工作频率的提高和晶体管门数的攀升极大提高了芯片的功耗。同时,传统的基于UPF(Unifi |
| 《电子技术应用》 2017,43(09):25-29 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号