| 2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究 |
| 王士伟;刘斌;卢威;严阳阳;陈淑芬; |
| 关键词：三维集成电路;转接层;硅通孔;低阻硅 |
| 主要内容：2.5D集成技术(转接层技术)可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔(TSV)的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1GHz时,回波损耗S_(11)为- |
| 《北京理工大学学报》 2017,37(02):196-200+206 |
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