| 40 nm CMOS工艺下的低功耗容软错误锁存器 |
| 黄正峰;王世超;欧阳一鸣;易茂祥;梁华国; |
| 关键词：软错误;单粒子翻转;单粒子瞬态;加固锁存器 |
| 主要内容：为了降低集成电路的软错误率,该文基于时间冗余的方法提出一种低功耗容忍软错误锁存器。该锁存器不但可以过滤上游组合逻辑传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全免疫。其输出节点不会因为高能粒子轰击而进入高阻态,所以该锁存器能够适用于门控时钟电路。S |
| 《电子与信息学报》 2017,39(06):1464-1471 |
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