45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析
 
林琳;王珺;王磊;张文奇;

关键词:芯片封装交互作用(CPI);有限元分析;低介电常数介质;子模型;热机械应力;45
 
主要内容:采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 nm工艺
 
《半导体技术》  2017,42(01):55-60
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