| GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC |
| 徐波;戈勤;沈宏昌;陶洪琪;钱峰; |
| 关键词：氮化镓;功率放大器;单刀双掷开关;发射前端 |
| 主要内容：采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配 |
| 《微波学报》 2017,33(06):57-61 |
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