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GPP整流芯片内部耐压耗尽区与造型结构关系的研究

程德明;胡建业;胡志坚;胡翰林;汪华锋;

关键词：电中性;耐压耗尽区;外部结构;空穴扩散长度

主要内容：使用电中性理论研究了GPP整流芯片内部的耐压耗尽区与芯片造型结构的关系,提出了改进造型结构、限制空穴扩散电流的方法,对产品结构工艺改进具有指导意义。

《科技经济导刊》 2017,(34):69+30

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