| K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计 |
| 李潇然;仲顺安; |
| 关键词：K波段;接收前端;低噪声放大器;下变频混频器;CMOS |
| 主要内容：基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计实现K波段片上集成CMOS接收前端.接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成.射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配.测试结果表明,在射频输入频率 |
| 《北京理工大学学报》 2017,37(03):287-291 |
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