| LV_HV兼容N-Well CMOS芯片与制程结构 |
| 潘桂忠; |
| 关键词：集成电路制造工艺;偏置栅结构;LV/HV兼容N-Well CMOS芯片结构;制程 |
| 主要内容：LV/HV兼容N-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区参数可以得到不同的高压。使用MO |
| 《集成电路应用》 2017,34(08):51-55 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号