| LV_HV兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构 |
| 潘桂忠; |
| 关键词：集成电路制造工艺;偏置栅结构;LV/HV兼容Twice-Well CMOS芯片结 |
| 主要内容：LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用M |
| 《集成电路应用》 2017,34(09):47-51 |
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