| PMOS管工艺参数对反相器SET效应的影响 |
| 朱佳琪;袁波;吴秀龙; |
| 关键词：工艺参数;单粒子效应;抗辐照;脉冲电压 |
| 主要内容：研究了体硅CMOS工艺下数字集成电路的抗辐照特性。利用Synopsys公司的三维半导体器件模拟软件Sentaurus,对数字集成电路中的反相器电路进行单粒子瞬态(SET)效应仿真,分析PMOS管的各种工艺参数对反相器SET效应产生的脉冲电压 |
| 《微电子学》 2017,47(06):842-846 |
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