| 不同减划技术对硅片良率影响的分析研究 |
| 林杰;纪莲和;王文赫; |
| 关键词：硅片;背面减薄;划片;良率 |
| 主要内容：目前随着集成电路技术的不断发展,工业应用等级的不断提高,其芯片硅片朝着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展,CPU芯片甚至已到10纳米以下,集成度非常高。为了满足小型密集化产品的市场需求,IC封装的技术需求,对硅片减薄的地位和要求也越来越高 |
| 《内燃机与配件》 2017,(24):73-75 |
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