低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计
 
陈黎明;陈铖颖;袁甲;杨骏;

关键词:人工耳蜗;低电压;超低功耗;统计静态时序分析;超大规模集成电路(VLSI)
 
主要内容:基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目
 
《华中科技大学学报(自然科学版)》  2017,45(09):1-5
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