| 低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析 |
| 王士伟;严阳阳;程志强;陈淑芬; |
| 关键词：三维集成电路;硅通孔;低阻硅;热膨胀 |
| 主要内容：针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上 |
| 《北京理工大学学报》 2017,37(02):201-206 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号