| 多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究 |
| 李同德;赵元富;王亮;郑宏超;舒磊;刘家齐;于春青; |
| 关键词：瞬时剂量率;多电压;γ脉冲;扰动 |
| 主要内容：瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时间 |
| 《电子技术应用》 2017,43(01):6-9 |
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