| 高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源 |
| 周勇;胡云斌;胡刚毅;沈晓峰;顾宇晴;倪亚波; |
| 关键词：低温度系数;高电源抑制比;全MOS;超低功耗 |
| 主要内容：在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在 |
| 《微电子学》 2017,47(03):355-358 |
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