后端互联工艺对集成电路单粒子翻转效应的影响
 
毕津顺;贾少旭;韩郑生;罗家俊;

关键词:蒙特卡洛;后端互联;单粒子效应;集成电路
 
主要内容:基于Geant4工具,进行高能粒子入射的蒙特卡洛仿真。介绍了仿真理论,以总反应截面和淀积电荷为参量,研究了后端金属互联工艺对于半导体集成电路单粒子翻转效应(SEE)的影响。实验结果表明,钨层的存在会对半导体器件的单粒子翻转效应有一定的增强作
 
《太赫兹科学与电子信息学报》  2017,15(01):153-158
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