| 互补式金氧半(CMOS)集成电路的静电放电防护方法研究 |
| 夏继军; |
| 关键词：CMOS集成电路;ESD防护;Already-on(native)NMOS组件 |
| 主要内容：在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针 |
| 《激光杂志》 2017,38(06):140-143 |
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