| 基于GaN HEMT的13～17GHz收发多功能芯片 |
| 张磊;付兴昌;刘志军;徐伟; |
| 关键词：多功能芯片(MFC);氮化镓;单片微波集成电路(MMIC);功率放大器(PA); |
| 主要内容：基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统。该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等 |
| 《半导体技术》 2017,42(08):586-590+625 |
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