| 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究 |
| 于猛;曾传滨;闫薇薇;李博;高林春;罗家俊;韩郑生; |
| 关键词：单粒子瞬变;锁相环;辐射效应;相位抖动 |
| 主要内容：分析了一款基于0.35μm PDSOI工艺的锁相环(PLL)电路的抗单粒子瞬变(SET)能力,利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性.电路级仿真采用优化过的SET注入模型,提高了仿真预测的准确程度.分析了PLL |
| 《微电子学与计算机》 2017,34(08):76-81 |
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