| 基于SiGe BiCMOS工艺的射频ESD电路设计 |
| 吴舒桐;张甘英; |
| 关键词：射频集成电路;静电放电;SiGe BiCMOS工艺 |
| 主要内容：随着射频电路工作频率的不断升高,ESD已经成为了影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素。针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化。采用Jazz 0.18μm SiGe |
| 《电子与封装》 2017,17(11):19-22 |
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