| 基于多晶硅填充的TSV工艺制作 |
| 王文婧;何凯旋;王鹏; |
| 关键词：MEMS;TSV;ICP刻蚀;LPCVD;无缝填充;绝缘特性 |
| 主要内容：硅通孔(TSV)技术用于MEMS器件可实现器件结构的垂直互联,达到减小芯片面积、降低器件功耗等目的。对TSV结构的刻蚀和填充工艺进行了研究,通过优化ICP刻蚀工艺参数获得了端口、中部、底部尺寸平滑减小、深宽比大于20∶1的硅通孔;利用LPC |
| 《传感技术学报》 2017,30(01):59-63 |
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