| 基于复合介质层材料的硅通孔热结构耦合分析 |
| 赵健;崔玉强;焦科名; |
| 关键词：硅通孔;有限元;热结构耦合分析;热应力 |
| 主要内容：硅通孔(TSV)技术是三维封装的关键技术,对三维IC的可靠性起决定性作用。基于ANSYS Workbench平台,通过有限元仿真对退火阶段的TSV模型进行热结构耦合分析。比较了二氧化硅(SiO2)介质层与苯并环丁烯(BCB)介质层在不同负载 |
| 《微电子学》 2017,47(06):837-841+846 |
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