| 基于关键路径与改进遗传算法的最佳占空比求解 |
| 徐辉;李丹青;应健锋;李扬; |
| 关键词：集成电路;老化效应;最佳占空比;负偏置温度不稳定性;多输入向量控制;遗传算法 |
| 主要内容：纳米工艺下,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路老化效应的主导因素。多输入向量控制(M-IVC)是缓解由于NBTI效应引起电路老化的有效方法,而M-IVC的关键是最佳占空比的求解。在充分考虑时序余量的设计与电路实际操作情况下,对电路采 |
| 《传感器与微系统》 2017,36(10):124-128 |
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