| 基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计 |
| 孙楷添;丁星火;张甘英; |
| 关键词：锗硅工艺;射频;带隙基准;温漂系数;噪声 |
| 主要内容：射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声。设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压V_(REF)为3.14 V,采用PNP双极管和电阻, |
| 《电子与封装》 2017,17(06):23-26 |
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