| 集成电路ESD损伤及实验方法研究 |
| 苏昆; |
| 关键词：静电;测试方法;放电模式;静电设计;静电研究;损伤 |
| 主要内容：随着现代集成电路的发展,工艺特征尺寸越来越小,氧化层越来越薄,集成电路抗静电能力也越来越差。对于深亚微米工艺集成电路来说,静电的损害更加严重,所以必须在设计芯片时加入适当的静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保 |
| 《微处理机》 2017,38(01):27-32 |
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