| 集成电路制造工艺中ESD IMP技术及其应用 |
| 温德通; |
| 关键词：集成电路制造;离子注入;电流驱动;器件防护;ESD |
| 主要内容：ESD NMOS需要进行ESD IMP离子注入,目的是降低NMOS漏端与PW的击穿电压。为了提高器件的ESD防护能力,工艺上发展出ESD IMP工艺技术,同时设计出ESD器件。ESD IMP工艺技术是在原先的工艺中增加一道ESD IMP,所 |
| 《集成电路应用》 2017,34(12):51-53 |
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